IEC 63275-2(2022)
Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность карбидокремниевых дискретных полевых МОП-транзисторов. Часть 2. Метод определения биполярной деградации из-за работы паразитного диода
Статус: Действует Дата введения в действие: 11.05.2022
Обозначение | IEC 63275-2(2022) |
---|---|
Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность карбидокремниевых дискретных полевых МОП-транзисторов. Часть 2. Метод определения биполярной деградации из-за работы паразитного диода |
Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation |
МКС | 31.080.30 |
Вид стандарта | ST |
Дата опубликования | 11.05.2022 |
Язык оригинала | английский;французский |
Количество страниц оригинала | 24 |
ТК – разработчик стандарта | TC 47 |
Номер издания | 1.0 |
Статус | Действует |
Код цены | C |