DIN EN 60749-19-2003
Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 19. Прочность кристалла на сдвиг
Статус: Дата введения в действие: 01.10.2003
Обозначение | DIN EN 60749-19-2003 |
---|---|
Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 19. Прочность кристалла на сдвиг |
Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength (IEC 60749-19:2003); German version EN 60749-19:2003 + Corrigendum 2003-06 |
Дата опубликования | 01.10.2003 |
МКС | 31.080.01 |
Вид стандарта | ST |
Обозначение заменяемого(ых) | DIN EN 60749(2002-09, partial)*DIN EN 60749-19(2002-05) |
Обозначение заменяющего | DIN EN 60749-19(2011-01) |
Язык оригинала | немецкий |
Количество страниц оригинала | 7 |
Код цены | Preisgruppe 6 |