IEC 63275-1(2022)
Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность карбидокремниевых дискретных полевых МОП-транзисторов. Часть 1. Метод определения температурной нестабильности смещения
Статус: Действует Дата введения в действие: 21.04.2022
| Обозначение | IEC 63275-1(2022) |
|---|---|
| Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность карбидокремниевых дискретных полевых МОП-транзисторов. Часть 1. Метод определения температурной нестабильности смещения |
| Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 1: Test method for bias temperature instability |
| МКС | 31.080.30 |
| Вид стандарта | ST |
| Дата опубликования | 21.04.2022 |
| Язык оригинала | английский;французский |
| Количество страниц оригинала | 30 |
| ТК – разработчик стандарта | TC 47 |
| Номер издания | 1.0 |
| Статус | Действует |
| Код цены | D |